碳化硅產業鏈分為襯底材料制備、外延層生長、器件制造以及下游應用。通常采用物理氣相傳輸法（PVT法）制備碳化硅單晶，再在襯底上使用化學氣相沉積法（CVD法）等生成外延片，最后制成相關器件。在SiC器件的產業鏈中，由于襯底制造工藝難度大，產業鏈價值量主要集中于上游襯底環節。

　　隨著碳化硅下游市場的超預期發展，碳化硅產業鏈的景氣程度有望持續向好，碳化硅襯底產業也將直接受益于行業發展。

　　美國廠商占據主導地位，國內度過產業化元年。Wolfspeed的出貨量占據了全球的45%。2021年是國內SiC產業化元年，2021年一季度國內新增SiC項目合計投資金額達到630億元，超過2020年全年的水平，達到2012-2019年合計值的5倍以上。

　　目前，碳化硅襯底主流尺寸為4-6 英寸，8 英寸襯底僅有Wolfspeed、II-VI 公司和意法半導體ST等少數幾家研制 成功，其中，Wolfspeed 是首家掌握8 英寸量產技術并建設對應晶圓廠的公司。

　　碳化硅精細微粉作為一種新型的多復合性功能材料，近年來被廣泛應用于高端太陽能、半導體切割研磨、LED、非金屬陶瓷、高性能密封環等領域玻璃噴砂機！。尤其是最近幾年，無論國內外及產業政策導向，都極力助推了這一新興產業的快速發展。光伏產業強烈的發展預期，導致碳化硅行業炙手可熱，吸引了大批的企業和社會投資者紛紛涌入，克服節能減排等多方壓力，各種規模的碳化硅生產企業可謂是遍地開花，樂觀情緒漸盛。

　　碳化硅行業要解決發展中資源、等方面的壓力，應該著眼于技術引領行業進步。在碳化硅生產中，關注生產制造的綠色、低碳化。依靠技術升級，提高生產規模，利用規模優勢降低單位能耗；注產過程中如碳化硅回收、粉塵處理、水的循環再利用等，降低資源利用。

　　碳化硅發展前景預測，就是在碳化硅市場調查獲得的各種信息和資料的基礎上，運用科學的預測技術和方法，對影響碳化硅市場供求變化的諸因素進行調查研究，分析和預見碳化硅發展趨勢，掌握碳化硅市場供求變化的規律，為經營決策提供可靠的依據。

　　第三代半導體是國家2030規劃和“十四五”國家研發計劃確定的重要發展方向，是我國半導體產業彎道超車的機會，要重點扶持、協同攻關第三代半導體產業，可以在國內重點扶植3-5家世界級龍頭企業，加大整個產業鏈條的合作力度。

　　國內外各大半導體元器件企業紛紛加大了新產品的推廣力度，第三代半導體也開始頻頻出現在各地園區招商引資名單中。8月18日最新消息，碳化硅龍頭科銳（Cree）宣布2021年財年第四季度財報時透露，公司有望在2022年初建成世界上最大的碳化硅工廠，使其能夠充分利用未來幾十年的增長機遇碳化硅。

　　新能源汽車是SiC功率器件的主要增長點，充電樁也是，以直流充電樁為例，據CASA測算，電動汽車充電樁中的SiC器件的平均滲透率達到10%，2018年整個直流充電樁SiC電力電子器件的市場規模約為，較2017年增加了一倍多。

　　SiC功率器件存在很多優勢，未來發展空間也在逐漸增大，不過在發展SiC器件的過程中，還是存在不少問題，從近幾年的發展來看，國內外廠商還是研究機構，都在加大投入發展更有的技術和產品，相信未來SiC器件不管在性能還是價格等多方面都會更適應市場需求。

　　做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！

　　產能為230萬左右，盤踞環球75%左右的份額。因為產能多余重大，今年多半企業的開工率不敷5成。另外，中國也是

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　　近幾年的快速發展 近幾年來，低碳生活也是隨之而來，隨著太陽能產業的發展，作為光伏產業用的材料，

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